硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。() 此题为判断题(对，错)。
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
硅管的导通压降为（）V。A、0B、0.2C、0.5D、0.7
晶闸管导通后的管压降为（）左右。A、1VB、1.2VC、0.8VD、0.6～0.7V
硅三极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
二极（锗）管的死区电压为（）。A、0.1VB、0.2VC、0.3VD、0.5V
单选题在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。A0.1～0.2V／0.3VB0.2～0.3V／0.7VC0.3～0.5V／0.7VD0.5V／0.7V
单选题硅三极管两端加上正向电压时（）。A立即导通B若超过0.3V才导通C若越过死区电压就导通
多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右