二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

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型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。 A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
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二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
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晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
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常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7
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2、在常温下，硅二极管的门限电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V；锗二极管的门限电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V。
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在常温下，硅二极管导通后的正向压降约为 V
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硅二极管的导通压降大约为（）VA．0.7B．0.6C．0.5D．0.4
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锗二极管的导通压降大约为（）VA．0.7B．0.5C．0.4D．0.3
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在常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。A．0.1-0.2B．0.2-0.3C．0.5-0.6D．0.6-0.7
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