多选题晶体管的PN结的正向压降为()。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右

多选题
晶体管的PN结的正向压降为()。
A

锗管为0.3V左右

B

锗管为0.7V左右

C

硅管为0.3V左右

D

硅管为0.7V左右


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

当PN结加正向电压时,PN结处于截止状态。此题为判断题(对,错)。

晶体管的结构特点是()。 A、有一个PN结B、有二个PN结C、有三个PN结

PN结具有单向导电性,PN结上承受的这一作用方向的电压称()偏置电压,简称PN结正向偏置。 A、正向B、反向C、双向D、逆向

二极管加正向电压时,PN结变窄,正向电流较大,正向电阻较小,PN结处于截止状态。() 此题为判断题(对,错)。

锗材料PN结的结压降为()。A、0.7VB、0.3VC、1VD、2V

当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时,即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时,它呈___状态,当外加电压与内电场的方向相同时,它将呈___状态,即___具有单向导电性。A、PN结;导通,截止;PN结B、晶体管;截止,导通;PN结C、晶体管;导通,截止;晶体管D、PN结;截止,导通;晶体管E、晶体管;截止,导通;晶体管

硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的()。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性

单结晶体管有()A、2个PN结3个电极B、1个PN结3个电极C、2个PN结2个电极D、1个PN结2个电极

硅材料PN结的结压降为()V。A、0.3B、1C、0.7D、2

当PN结加正向电压时,PN结处于截止状态。

半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的()。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性

PN结的单向导电性就是:加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。

硅材料的PN结压降为()。A、0.7VB、0.3VC、1VD、2V

PN结加正向电压则:()A、PN结变薄B、PN结变厚C、PN结不变

PN结具有()性能,即加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。

用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降,硅管的正向压降一般为0.2—0.4V,锗管正向压降,一般为0.5—0.8V。()

PN结具有(),即加正向电压时,PN结处于(),加反向电压时,PN结处于()。

普通双极型晶体管是由()。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成

PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述PN结的反向击穿特性。

当PN结外加正向电压时,PN结内多子()形成较大的正向电流。

PN结加正向电压,PN导通。

晶体管的PN结的正向压降为()。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右

PN结的温度每升高10℃,正向压降变化()mV。A、+20B、-20C、+200D、-200

两个PN结均为正偏时,晶体管工作在饱和状态;两个PN结均为反偏时,晶体管工作在截止状态。

下列()情况说明三极管坏了。A、B、e极PN结正向电阻很小B、B、e极PN结反向电阻很大C、B、e极PN结正向电阻很大D、B、e极PN结正向反向电阻差别很大

单选题双极型晶体管有()A二个pn结B一个pn结C三个pn结D没有pn结

填空题PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是();PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是()。