型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。 A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
晶闸管有()个PN节,导通时,阳极和阴极的管压降约为()V。 此题为判断题(对，错)。
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A、1VB、0.2VC、0.6V
可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右A、0.3B、1C、0.7D、1.5
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。
常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
单选题型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A1VB0.2VC0.6V
单选题常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A0.1B0.3C0.5D0.7
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A对B错