二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
晶体二极管所加正向电压小于其截止区电压时，则二极管处于（）状态。A、导通B、截止C、电击穿D、热击穿
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
当反向电压小于击穿电压时二极管处于（）状态。A、死区B、截止C、导通D、击穿
对于二极管而言，只有外加电压的方向于内电场方向相同时处于导通状态反之处于截止状态。
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
稳压二极管外加正偏电压时处于（）状态。A、导通B、截止C、放大
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
二极管在正向电压作用下处于（）状态。如果不计二极管的正向压降，它相当于开关处于（）状态。
单选题若将二极管正极与电源负极相连，二极管负极与电源正极相连，二极管处于（）。A截止状态B导通状态C关闭状态D以上答案都不对
问答题试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
填空题稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。