晶体管的PN结的正向压降为()。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右

晶体管的PN结的正向压降为()。

  • A、锗管为0.3V左右
  • B、锗管为0.7V左右
  • C、硅管为0.3V左右
  • D、硅管为0.7V左右

相关考题:

测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下:V1=0V,V2=-5V,V3=-0.3V,则可判断()。 A、该管为NPN管,材料为硅,1极为集电极B、该管为NPN管,材料为锗,2极为集电极C、该管为PNP管,材料为硅,1极为集电极D、该管为PNP管,材料为锗,2极为集电极

在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。

硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

设所有的二极管X晶体管为硅管,二极管正向压降为0.3V,晶体管发射结导通压降UBE=0.7V,则图中各晶体管的工作状态正确的是(  )。 A. VT1饱和,VT2饱和 B. VT1截止,VT2饱和 C. VT1截止,VT2放大 D. VT1放大,VT2放大

晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为()V,锗管约为0.3V。A.0.7B.0.5C.0.3D.0.1

晶体管符号上的箭头朝外,则表示为()。ANPN型晶体管;BPNP型晶体管;C硅管;D锗管。

二极管导通状态描述错误的是()A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后,其导通电流不变D、二极管导通后,其导通电压不变

小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。

锗二极管正向电压超过0.2伏左右,硅管超过0.5伏左右,正向电流很快上升。

二极管处于导通状态时,二极管的压降()。A、为零B、硅管0.7V,锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变

晶体管工作在放大状态时,发射结反偏,对于硅管约为0.7v,锗管约为0.3v。

锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V

用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降,硅管的正向压降一般为0.2—0.4V,锗管正向压降,一般为0.5—0.8V。()

晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。

锗二极管的正向压降通常为()。A、0.3v左右B、0.5v左右C、0.6v左右D、0.7v左右

硅管的正向压降为0.7V。()

硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。

硅管的正向导通压降大于锗管。

常温下,硅二极管的正向导通压降为()。A、0.3V;B、0.7V;C、1V

锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度()。A、高B、低C、相等D、不定

晶体管符号上的箭头朝外,则表示为()。A、NPN型晶体管;B、PNP型晶体管;C、硅管;D、锗管。

晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为(),锗管约为0.3V。A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V

锗二极管的正向导通电压为()。A、0.3V左右B、0.6V左右C、0.8V左右D、0.7V左右

单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。A0.4VB0.5VC0.6VD0.7V

多选题晶体管的PN结的正向压降为()。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右

判断题硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。A对B错

填空题硅二极管的正向电压降一般为()左右;锗二极管的正向电压一般为()左右。