使晶闸管导通的条件是什么?导通后流过晶闸管的电流由哪些因素决定?
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A、1VB、0.2VC、0.6V
通态平均电压是指晶闸管导通后，A、K极之间在一个周期内的平均电压值，称为（）。A、管压降B、正向电压C、反向电压D、平均电压
小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
硅管的导通压降为（）V。A、0B、0.2C、0.5D、0.7
晶闸管导通后，去掉门极电压或加负的门极电压，晶闸管仍然导通。
在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
晶闸管导通后，本身的压降约为（）V左右，称为通态平均电压。A、0.5B、0.7C、1D、3
晶闸管导通后，去掉控制极上的电压，晶闸管继续导通，说明晶闸管一旦导通之后，控制极就失去控制作用。
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
锗二极管的正向压降通常为（）。A、0.3v左右B、0.5v左右C、0.6v左右D、0.7v左右
晶闸管导通后，其正向压降约等于（）。A、零B、0.3VC、1V左右
发光二极管的导通压降为（）A、0.5～0.7VB、1V左右C、1.8～2.5V
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
在晶闸管导通后，如果对门极加反向电压，则晶闸管不能继续导通。
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
晶闸管导通后，若阳极电流小于导通后维持电流，晶闸管并然自行关断。
晶闸管导通时的管压降约（）V。A、0.1B、1C、3D、5
多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右