晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。

晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。


相关考题:

二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。

在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。

二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

二极管导通状态描述错误的是()A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后,其导通电流不变D、二极管导通后,其导通电压不变

二极管处于导通状态时,二极管的压降()。A、为零B、硅管0.7V,锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变

硅管的导通压降为()V。A、0B、0.2C、0.5D、0.7

二极管导通时,正向压降为0.7V。

半波整流时,二极管实际承受的反向电C压的最大值,出现在二极管()A、截止时B、导通时C、由截止转导通时D、由导通转截止时

晶闸管导通后的管压降为()左右。A、1VB、1.2VC、0.8VD、0.6~0.7V

硅二极管导通后的管压降是()伏。

()二极管导通时,管压降为0.7伏。

二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

二极管的伏安特性可大概理解为()、()。导通的硅管的压降约为()V。

晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。

实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。

常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

硅管的正向导通压降大于锗管。

在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。

二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

晶体管的PN结的正向压降为()。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右

单选题硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为()A0.7V;0.3VB0.2V;0.3VC0.3V;0.7VD0.7V;0.6V

填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

单选题硅开关二极管导通时的正向压降为()。A0.5VB0.7VC0.1VD0.3V