硅二极管的死区电压约为()伏。 A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对，错)。
硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。() 此题为判断题(对，错)。
硅材料二极管的死区电压为()V。 A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 () 此题为判断题(对，错)。
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对，错)。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。A. 0.2，0.7B. 0.5，0.2C. 0.7， 1.0
一般硅二极管死区电压为小于（）V。A、0.7B、0.5C、0.3D、0.1
硅半导体二极管的死区电压约为（）。A、0.2VB、1.2VC、0.5VD、1.5V
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。A、0—0.2VB、0—0.5VC、0—0.4VD、0—0.3V
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
判断题硅二极管的正向电压约为0.2V。（）A对B错
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。