问答题NMOS晶体管可分为哪种类型？

问答题
NMOS晶体管可分为哪种类型？

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试画出NMOS同步RS触发器的逻辑图.
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电子点火装置其中按信号发生器工作原理的不同可分为( )晶体管点火装置，( )晶体管点火装置，( )晶体管点火装置和( )无触点晶体管点火装置。
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对于双极型晶体三极管(简称晶体管)，如下不正确的描述是( )。A.晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态B.晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区C.晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示D.晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
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增强型NMOS管
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耗尽型NMOS管
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单结晶体管可分为截止区、（）和饱和区。
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时间继电器按其动作原理可分为（）及空气式等几大类。A、电动式、晶体管式B、电磁阻尼式、晶体管式C、电磁阻尼式、电动式、晶体管式
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PLC的输出接口有多种类型，可以接不同类型的负载，根据负载能力，负载电流有大到小排列顺序正确的是（）A、继电器接口、晶体管接口、晶闸管接口B、晶体管接口、晶闸管接口、继电器接口C、继电器接口、晶闸管接口、晶体管接口D、可控硅接口、继电器接口、晶体管接口E、继电器接口、可控硅接口、晶体管接口
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晶体管器件类型中字母W表示整流管。
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常见的PLC输出模块类型有继电器型、晶体管型和晶闸管型。继电器型的电流类型 为（）、晶体管型的电流类型为（）、 晶闸管型的电流类型为（）。
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单极型集成电路可分为（）几种。A、TTL型B、TDK型C、PMOS型D、NMOS型E、CMOS型
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晶体管从结构上可分成（）和（）两种类型，根据半导体材料不同可分为（）和（）管。它们工作时有（）和（）两种载流子参与导电，常称之为双极型晶体管。
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对于双极型晶体三极管（简称晶体管），如下不正确的描述是（）。A、晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态B、晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区C、晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示D、晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
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问答题耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？
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填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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问答题为什么NMOS工艺优于PMOS工艺？
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判断题NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A对B错
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名词解释题增强型NMOS管
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判断题场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。A对B错
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填空题晶体管输出特性可分为（）区，（）区，（）区。
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填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。
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单选题晶体管按导电类型可分（）。ANPN型及PNP型晶体管BN型晶体管CP型晶体管DPNP晶体管
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单选题NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。AP阱，P沟BP阱、N沟CN阱、N沟DN阱、P沟
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问答题对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？
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单选题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）A大于零B等于零C大于0.7VD小于零
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单选题NMOS源漏的掺杂类型分别为（）AP+、P+BP+，N+CN+，N+DN+，P+
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名词解释题耗尽型NMOS管
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