判断题NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A对B错

判断题
NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
A

B


参考解析

解析: 应是P阱,N沟道

相关考题:

按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( ) A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道

场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道

MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对,错)。

功率场效应晶体管一般为()。 A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型

功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型

电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

单极型集成电路不包含().A、普通晶体管(NPN管或PNP管)B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS(即CMOS)

结型场效应管的类型有()。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

TTL集成门电路是指()。A、二极管---三极管集成门电路B、晶体管---晶体管集成门电路C、N沟道场效应管集成门电路D、P沟道场效应管集成门电路

双极型晶体管工作在放大区偏置条件是()增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是()。

场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。

下列场效应管中,无原始导电沟道的为()。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管

CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

问答题采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点?

单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()AP沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

填空题单极型晶体管又称为()管。其导电沟道分有()沟道和P沟道。

填空题在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。

单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为()AP沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管BP沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

填空题P沟道MOSFET的衬底是()型半导体,源区和漏区是()型半导体,沟道中的载流子是()。

填空题由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题()。

判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A对B错

单选题NMOS是在()阱形成的()沟道的MOSFET晶体管。AP阱,P沟BP阱、N沟CN阱、N沟DN阱、P沟

填空题PMOS是在()上形成P型沟道的MOSFET晶体管。

问答题P阱CMOS与N阱CMOS相比有什么不同?

问答题简述N沟道晶体管的工作原理。

填空题N沟道MOSFET的衬底是()型半导体,源区和漏区是()型半导体,沟道中的载流子是()。