按力源采煤工作面冒顶事故分为三种类型分别为()。 A、漏冒型、压垮性、推垮型B、漏冒型、压垮性、大型C、大型、中性、小型D、漏冒型、压垮性、冲击地压型
CPU模块直流输入端口()。 A.源型、漏型都是高电平有效B.源型、漏型都是低电平有效C.源型高电平有效，漏型是低电平有效D.源型低电平有效，漏型是高电平有效
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。 A、基极B、源极C、发射极D、阻板
模块的基本类型有()。A、驱动模块B、桩模块C、源模块D、漏模块E、变换模块
功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
场效应管的三个极分别为？（）A、发射极B、栅极C、源极D、漏极
四种类型的受控源分别为（）。A、电压控制电压源B、电压控制电流源C、电流控制电压源D、电流控制电流源
场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
问答题耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？
填空题肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。
问答题埋层有什么作用？说明埋层与衬底掺杂类型、掺杂浓度之间的关系。
多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
判断题晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。A对B错
填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。