对于双极型晶体三极管(简称晶体管),如下不正确的描述是()。A、晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态B、晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区C、晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示D、晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态

对于双极型晶体三极管(简称晶体管),如下不正确的描述是()。

  • A、晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态
  • B、晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区
  • C、晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示
  • D、晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态

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n1型晶体管特性图示仪可对晶体三极管的参数定性、定量测量。() 此题为判断题(对,错)。

双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。() 此题为判断题(对,错)。

绝缘栅双极型晶体管的简称是()。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT

绝缘栅双极型晶体管简称( )。A.MOSFETB.IGBTC.GTRD.GTO

当用晶体三极管做调制型直流放大器的调制器时,有人把管子的e极反接,这种做法是()。 A、不正确的,易于损坏晶体管B、调制器时,e极正接和反接均可C、正确的,可减少残余电压D、无关紧要

对于双极型晶体三极管(简称晶体管),如下不正确的描述是( )。A.晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态B.晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区C.晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示D.晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态

绝缘栅双极型晶体管简称()。A、MOSFETB、IGBTC、GTRD、GTO

双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号(即驱动信号)为()。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制,场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制,场效应管为电压控制

JT一1型晶体管特性图示仪可对晶体三极管的参数定性、定量测量。

双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压

双极型晶体管是()控制器件,单极型晶体管是()控制器件。

()不是双极型晶体三极管电极的名称。A、基极B、源极C、集电极D、发射极

下列元件是单极性元件的有()。A、晶体二极管B、晶体三极管C、MOS晶体管D、电阻

由于晶体三极管(),所以将它称为双极型的,由于场效应管(),所以将其称为单极型的。

在NPN型晶体管放大电路中,如果集电极与基极短路,则()A、晶体三极管将深度饱和B、晶体三极管将截止C、晶体三极管的集电极将正偏

下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极

请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。

请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

GTR是一种()晶体管.A、双极型B、单极型C、混合型D、三极型

双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号()。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制,场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制,场效应晶体管为电压控制

单选题GTR是一种()晶体管.A双极型B单极型C混合型D三极型

单选题在NPN型晶体管放大电路中,如果集电极与基极短路,则()A晶体三极管将深度饱和B晶体三极管将截止C晶体三极管的集电极将正偏

填空题请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

填空题请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

判断题双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。A对B错

单选题下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A是电压驱动型器件B也称为绝缘栅极双极型晶体管C属于全控型器件D三个极为漏极、栅极和源极