硅二极管的死区电压约为()伏。 A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对，错)。
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
硅二极管的死区约为（）V左右。A、0.2B、零C、0.5D、2
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2D、0.3
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
判断题锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。A对B错
单选题对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A0.7B0.5C0.2
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？