单选题对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A0.7B0.5C0.2

单选题
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。
A

0.7

B

0.5

C

0.2

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测得放大电路中某三极管各管脚对参考点的电位分别为:管脚①2.3V,管脚②3V,管脚③－9V,则可判定( )。 A该三极管是锗管且管脚①是发射极B该三极管是硅管且管脚③是发射极C该三极管是硅管且管脚①是发射极D该三极管是硅管且管脚②是发射极
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三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
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在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。 A.0.3VB.0.1VC.0.2VD.0.5V
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小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。
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小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
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对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2
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硅半导体三极管不失真的电压放大时，其be结应加的直流电压与交流电压值约为（）A、均为0.6~0.7VB、前者为0.6~0.7V，后者约为百mVC、前者为0.6~0.7V，后者约为几mV～十几mVD、视具体情况而定
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二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
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从输入特性曲线上看，硅管的死区电压约为（）.A、0.1VB、0.3VC、0.5VD、1V
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硅二极管的死区电压一般为0.2V。
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硅管的死区电压约为（）。A、0.8VB、0.9VC、0.7VD、0.6V
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硅三极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通
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在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。A、0.3VB、0.1VC、0.2VD、0.5V
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二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
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硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
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硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
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晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
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硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
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二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
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硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
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硅管的门限电压约为（）V。
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对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2D、0.3
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硅材料二极管的死区电压为0.3V。
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单选题硅三极管两端加上正向电压时（）。A立即导通B若超过0.3V才导通C若越过死区电压就导通
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填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
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问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
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单选题硅半导体三极管不失真的电压放大时，其be结应加的直流电压与交流电压值约为（）A均为0.6~0.7VB前者为0.6~0.7V，后者约为百mVC前者为0.6~0.7V，后者约为几mV～十几mVD视具体情况而定
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