硅二极管的死区电压约为()伏。 A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对，错)。
硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。() 此题为判断题(对，错)。
硅材料二极管的死区电压为()V。 A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 () 此题为判断题(对，错)。
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对，错)。
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
一般硅二极管死区电压为小于（）V。A、0.7B、0.5C、0.3D、0.1
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管相当于（）。A、阻值很大的电阻B、小阻值电阻C、内部短路D、内部开路
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。A、0—0.2VB、0—0.5VC、0—0.4VD、0—0.3V
当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）A、小阻值电阻B、阻值很大的电阻C、内部短路D、接通的开关
硅三极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
单选题硅三极管两端加上正向电压时（）。A立即导通B若超过0.3V才导通C若越过死区电压就导通
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？