三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。

三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。

相关考题：

在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。 A.0.3VB.0.1VC.0.2VD.0.5V
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下列有关硅二极管的说法，正确的是 。A．死区电压为0.1V，正向导通电压为0.3 VB．死区电压为0.3 V，正向导通电压为0.5 VC．死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 VD．死区电压为0.7 V，正向导通电压为0.9 V
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4、硅管的死区电压约为 ，导通电压约为 ；锗管的死区电压约为 ，导通电压约为 。
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对于硅三极管，死区电压约为　　　，对于锗三极管，死区电压约为　　　　　　。A．0.1V；0.5VB．0.5V；0.1VC．0.7V；0.5VD．0.5V；0.2V
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硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
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5、硅管的死区电压约为0.5，导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2，导通电压约为0.3。
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1、下列有关硅二极管的说法，正确的是 。A．死区电压为0.1V，正向导通电压为0.3 VB．死区电压为0.3 V，正向导通电压为0.5 VC．死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 VD．死区电压为0.7 V，正向导通电压为0.9 V
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什么是二极管的死区电压？为什么会出现死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
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3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
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