三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
硅管比锗管受温度影响()。 A.较大B.较小C.相同
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对，错)。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
关于9013，下面（）是正确的。A、NPN硅管B、PNP硅管C、NPN锗管D、PNP锗管
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管与锗管的死区电压分别为（）。A、0.7、0.3B、0.3、0.7C、0.5、0.2D、0.2、0.5
硅管比锗管受温度影响（）。A、较大B、较小C、相同
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。
硅二极管反向导通电流一般（）。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？