硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。

硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。


相关考题:

硅二极管的死区电压约为()伏。 A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5

锗二极管的死区电压约为()伏。 A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5

硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。() 此题为判断题(对,错)。

硅材料二极管的死区电压为()V。 A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7

一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 () 此题为判断题(对,错)。

加在二极管上的正向电压大于死区电压时,二极管();加反向电压时,()截止 。

三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。

一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对,错)。

二极管伏安特性曲线上有一个死区电压,什么是死区电压?

硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。A. 0.2,0.7B. 0.5,0.2C. 0.7, 1.0

二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

硅二极管的死区电压约为()。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

硅二极管的死区电压一般为0.2V。

锗二极管的死区电压为()V,导通电压为()V

二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。

什么是二极管的死区电压?它是如何产生的?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。

硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为()A、0.6V;0.6VB、0.6V;0.1VC、0.1V;0.6VD、0.1V;0.1V

锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。

硅材料二极管的死区电压为0.3V。

硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?

填空题硅管的死区电压()伏,锗管的死区电压约为()伏。

问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。