硅二极管的死区电压约为()伏。 A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。() 此题为判断题(对，错)。
硅材料二极管的死区电压为()V。 A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。A.0.10.2B.0.20.3C.0.50.1D.0.50.4
平胶面滚筒摩擦系数约为（）左右A、0.2B、0.35C、0.5D、0.8
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
硅半导体二极管的死区电压约为（）。A、0.2VB、1.2VC、0.5VD、1.5V
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。A、0.1；0.2B、0.2；0.3C、0.5；0.1D、0.5；0.4
常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
锗材料二极管的死区电压为（）V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？