二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。A.0.10.2B.0.20.3C.0.50.1D.0.50.4
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
硅二极管和导通电压约为（）.A、0.3VB、0.7VC、7VD、10V
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2
二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。A、0.1；0.2B、0.2；0.3C、0.5；0.1D、0.5；0.4
硅管的死区电压约为（）。A、0.8VB、0.9VC、0.7VD、0.6V
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2D、0.3
硅管的导通电压（）。A、为0.3VB、为0.7VC、约为0.7VD、约为0.3V
单选题二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。A0.1；0.2B0.2；0.3C0.5；0.1D0.5；0.4
单选题对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A0.7B0.5C0.2
判断题硅二极管的正向电压约为0.2V。（）A对B错
单选题硅管的导通电压为（）A为0.3VB为0.7VC约为0.7VD约为0.3V