光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
问答题光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
问答题列出光刻工艺的十个步骤，并简述每一步的目的。
填空题光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
填空题集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
判断题光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A对B错
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺？光刻的三个要素是什么？
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。
多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀