晶体管的结构特点是()。 A、有一个PN结B、有二个PN结C、有三个PN结
二级管的核心结构是（）。A、PN结B、PNP结C、NPN结D、PIN结
PN结又可以称为（）。A、电容层B、耗尽层C、绝缘层D、隔离层
PN结的单向导电性就是：加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
晶闸管有（）A、3个PN结3个电极B、2个PN结3个电极C、1个PN结3个电极D、3个PN结2个电极
PN结加正向电压则：（）A、PN结变薄B、PN结变厚C、PN结不变
PN结具有（）性能，即加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
晶闸管的内部结构具有（）端、（）层、（）个PN结。
二极管是由（）构成的。A、1个PN结B、2个PN结C、3个PN结D、4个PN结
单选题双极型晶体管有（）A二个pn结B一个pn结C三个pn结D没有pn结
填空题晶闸管的内部结构具有（）端、（）层、（）个PN结。
填空题设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、（）等六次光刻。
问答题简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
判断题PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。A对B错