用万用表R×100挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。 A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层() A.大于B.变窄C.等于D.小于E.变宽F.不变
PN结加反向电压，则（）A、有利于少子的扩散B、PN结电阻变小C、PN结变薄D、不利于多子的扩散
值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。（）
稳压管是利用PN结的（）特性来实现稳压的。A、正向电压B、反向击穿电压C、最大整流电流
在PN节之间加（），多数载流子的扩散增强，有电流通过PN节，就形成了PN节导电。A、直流电压B、交流电压C、正向电压D、反向电压
PN结外加（）电压时，电路中只有很小的电流。A、直流B、交流C、正向D、反向
当PN结加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）A、大于B、变窄C、等于D、小于E、变宽F、不变
如果PN结的反向电流急剧增加，称为（）A、反向导通B、反向截止C、反向击穿D、反向饱和
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。
PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
PN结反向工作时，流过的电流主要是（）A、扩散电流B、漂移电流C、传导电流D、扩散和漂移电流并存
PN结未加外部电压时，扩散电流（）漂流电流，加正向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）；加反向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）。
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽
当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。A、大于B、小于C、等于
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）A、阻当层不变，反向电流基本不变B、阻当层变厚，反向电流基本不变C、阻当层变窄，反向电流增大D、阻当层变厚，反向电流减小
稳压管是利用PN结的（）特性来实现稳压的。A、正向电压B、反向击穿电压C、最大整流电流D、方向截止
PN结反向电压的数值增大，但小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增加B、其正向电流增加C、其反向电流基本不变D、其反向电流减小
用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
稳压管虽然工作在反向击穿区，但只要（）不超过允许值，PN结不会过热而损坏。A、电压B、反向电压C、电流D、反向电流
场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
在PN节之间加（），多数载流子扩散被抑制，反向电流几乎为零，就形成了PN节截止。A、直流电压B、交流电压C、正向电压D、反向电压