问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

问答题
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

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解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
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有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。A、负胶受显影液的影响比较小B、正胶受显影液的影响比较小C、正胶的曝光区将会膨胀变形D、使用负胶可以得到更高的分辨率E、负胶的曝光区将会膨胀变形
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
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例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
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名词解释题光刻胶
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问答题给出硅片制造中光刻胶的两种目的。
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名词解释题正光刻胶
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问答题解释硬烘烤的目的。光刻胶硬烘烤过度和不足会产生什么问题？
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填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
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判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A对B错
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判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
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填空题光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）； 曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。
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多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀
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