问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

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解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

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在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?

解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低?

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。A、负胶受显影液的影响比较小B、正胶受显影液的影响比较小C、正胶的曝光区将会膨胀变形D、使用负胶可以得到更高的分辨率E、负胶的曝光区将会膨胀变形

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度

例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷

名词解释题光刻胶

问答题给出硅片制造中光刻胶的两种目的。

问答题列出光刻胶的四种成分

问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

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名词解释题正光刻胶

问答题解释硬烘烤的目的。光刻胶硬烘烤过度和不足会产生什么问题?

填空题光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。

问答题简述光刻胶的概念及目的

问答题光刻胶正胶和负胶的区别是什么?

问答题简述光刻胶的成分特征。

问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A对B错

判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错

问答题解释光刻胶选择比,要求的比例是高还是低?

填空题光刻胶的三种主要成分是:()。正胶的感光剂是(),曝光使其(),正胶的曝光区在显影后(); 曝光使负胶的感光剂(),使曝光区在显影后()。

多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀

问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?