三极管的静态工作点中,UBE的正向压降,硅管大约0.2V ,锗管大约 0.65 V。

三极管的静态工作点中,UBE的正向压降,硅管大约0.2V ,锗管大约 0.65 V。


参考答案和解析
错误

相关考题:

某放大电路中,测得三极管三个极静态电位分别为7V,2.7V,2V,则这只三极管是() A、NPN型的硅管B、NPN型的锗管C、PNP型的硅管D、PNP型的锗管

在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。A、NPN 型硅管B、NPN 型锗管C、PNP 型硅管D、PNP 型锗管

三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。

硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

在某放大电路中,测得三极管静态电位VBE =0.2V、VCE = 4V,则这只三极管为( )。A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管

某放大电路中,测得三极管三个电极的静态点位分别为0V、10V、9.3V,则这只三极管是(  )。A.NPN型锗管B.NPN型硅管C.PNP型锗管D.PNP型硅管

在某放大电路中,测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V,则这只三极管为()。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管

二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。

二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

硅管的正向电压为0.2V。

用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降,硅管的正向压降一般为0.2—0.4V,锗管正向压降,一般为0.5—0.8V。()

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()

在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V,则该管为()A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管

硅二极管的正向导通压降约为()A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V

常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是()A、NPN型硅管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、PNP型锗管

硅管的正向导通压降大于锗管。

在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。

锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()

晶体管的PN结的正向压降为()。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右

若三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是()。A、PNP型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、NPN型硅管

多选题晶体管的PN结的正向压降为()。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右

填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

判断题二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。A对B错