用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降,硅管的正向压降一般为0.2—0.4V,锗管正向压降,一般为0.5—0.8V。()

用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降,硅管的正向压降一般为0.2—0.4V,锗管正向压降,一般为0.5—0.8V。()


相关考题:

型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。 A、0.2 VB、0.7 VC、1 V

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A、大B、小C、相等D、无法判定

二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

管压降是指二级管导通时的()A、压降B、反向压降C、正向压降D、电压降

二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。

二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

数字式万用表除了具有指针式万用表的功能外,还可以测量()。A、电感B、电容C、PN结的正向压降D、交流电流

实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()

硅二极管的正向导通压降约为()A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V

PNP管大多为锗管,其发射结的正向压降一般为()V。A、0.2~0.3;B、0.4;C、0.6~0.7;D、0.5。

常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0

硅管的正向导通压降大于锗管。

在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()

二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。

晶体管的PN结的正向压降为()。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右

硅二极管的正向压降是()A、0.7VB、0.2VC、1V

PNP管大多为锗管,其发射结的正向压降一般为()V。A、0.2~0.3B、0.4C、0.6~0.7D、0.5

单选题使用数字万用表“二极管档”检查二极管的好坏,当二极管正接时显示的数值为二极管的()值。A正向电阻B正向电流C正向压降D正向管耗

多选题晶体管的PN结的正向压降为()。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右

判断题二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。A对B错

填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

填空题硅二极管的正向电压降一般为()左右;锗二极管的正向电压一般为()左右。