二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。

二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。


相关考题:

硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对,错)。

在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。

二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A、大B、小C、相等D、无法判定

二极管处于导通状态时,二极管的压降()。A、为零B、硅管0.7V,锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变

二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。

二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V

晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。

实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()

硅二极管的正向导通压降约为()A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V

常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0

硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

硅管的正向导通压降大于锗管。

在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。

在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()

二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。

硅二极管反向导通电流一般()。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小

判断题二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。A对B错

填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。