在外电场作用下,漂移电流主要是()运动引起,扩散电流主要是()运动引起。A、多子,少子B、少子,多子C、多子,多子D、少子,少子

在外电场作用下,漂移电流主要是()运动引起,扩散电流主要是()运动引起。

  • A、多子,少子
  • B、少子,多子
  • C、多子,多子
  • D、少子,少子

相关考题:

PN结两端反向偏压时、难以进行()。 A、多子扩散B、少子扩散C、多子漂移D、少子漂移

PN结加反向电压,则()A、有利于少子的扩散B、PN结电阻变小C、PN结变薄D、不利于多子的扩散

P(N)型半导体的多子、少子

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

本征半导体掺入微量的()元素,则形成P型半导体,其多子为(),少子为()。

PN结加正向电压时,其正向电流是()。A、多子扩散而成B、少子扩散而成C、少子漂移而成D、多子漂移而成

了解PN结正向电压—电流特性;多子与少子;非平衡少数载流子注入;正向电流(电池的暗电流)及方向。

在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成()A、P型半导体,其少子为自由电子B、N型半导体,其多子为自由电子C、P型半导体,其少子为空穴D、N型半导体,其多子为空穴

在P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子。

在N型半导体中,多子是(),少子是();在P型半导体中,多子是(),少子是()

杂质半导体中()的浓度对温度敏感。A、少子B、多子C、杂质离子D、空穴

场效应管漏极电流由()的漂移运动形成。A、少子B、电子C、多子D、两种载流子

处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子,多子(空穴)的数量=()+少子(自由电子)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

处于放大状态的晶体管,集电极电流是由多子扩散运动形成的。

在本征半导体中,()是同时出现的.A、多子和少子B、正离子和负离子C、自由电子和空穴

名词解释题P(N)型半导体的多子、少子

单选题对于P型半导体来说,以下说法正确的是()A电子为多子B空穴为少子C能带图中施主能级靠近于导带底D能带图中受主能级靠近于价带顶

单选题PN结加反向电压,则()A有利于少子的扩散BPN结电阻变小CPN结变薄D不利于多子的扩散

填空题在P型半导体中空穴是多子,()是少子。

单选题半导体受光照、外电场作用,载流子浓度就要发生变化,这时半导体处于非平衡态。光照时()的浓度几乎不变,()的浓度却大大增加,因而可以说,一切半导体光电器件对光的响应都是()的行为。请选择正确的答案()A多子---少子---少子;B少子---多子---多子;C多子---多子---多子D少子---少子---少子。

单选题对于N型半导体来说,以下说法正确的是()A费米能级靠近导带底B空穴为多子C电子为少子D费米能级靠近靠近于价带顶

单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

单选题PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A多子扩散B少子扩散C少子漂移D多子漂移

填空题PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的(),这种情况下的电流称为()。

单选题在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A正离子数B负离子数C质子D原子

单选题pn结正向偏置时,外加电场削弱势垒区内自建电场,因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入,形成正向()A复合电流B漂移电流C扩散电流D漏电流