单选题pn结正向偏置时,外加电场削弱势垒区内自建电场,因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入,形成正向()A复合电流B漂移电流C扩散电流D漏电流

单选题
pn结正向偏置时,外加电场削弱势垒区内自建电场,因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入,形成正向()
A

复合电流

B

漂移电流

C

扩散电流

D

漏电流


参考解析

解析: 暂无解析

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PN结正向偏置时 () A、P区接电源正极,N区接电源负极B、N区接电源正极, P区接电源负极C、正向电流较大D、正向电流较小

PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。() 此题为判断题(对,错)。

PN结加正向偏置是指()。 A.P区接电源负极,N区接电源正极B.P区接电源正极,N区接电源负极C.P区和N区都接电源正极

PN结加正向电压,则()A、内电场增强B、PN结电阻呈现无穷大C、PN结变厚D、有利于多子的扩散

当PN结加正向电压时,()运动超过了内电场作用下的()运动,形成较大的正向电流。

PN结的P区接电源负极,N区接电源正极,称为()偏置接法。A、正向B、反向C、零

PN结加正向电压时,其正向电流是()。A、多子扩散而成B、少子扩散而成C、少子漂移而成D、多子漂移而成

PN结正向偏置是指P区接电源()极,N区接电源()极。

PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将(),PN结中()电流占优势。

PN结正向偏置时,其内电场被()。A、削弱B、增强C、不变D、不确定

PN结外加正向电压,即电源的正极接P区,电源的负极接N区,这种接法称为()或()。

当PN结外加正向电压时,PN结内多子()形成较大的正向电流。

当PN结反向工作时,其结电容主要是()A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存

PN结的P区接电源负极,N区接电源正级,称为()偏置接法。A、正向B、反向C、零D、击穿

为什么PN结具有单向导电性()。A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,正向串联在电路中时,因叠加外正电场与内电场方向一致,增强内电场作用,多数载流子顺利通过在电路中形成电流,正向导通B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用,正向串联在电路中时,因叠加外正电场与内电场方向相反,削弱内电场阻挡作用,使多数载流子顺利通过阻挡层,在电路中形成电流,正向导通C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,反向串联在电路时,因叠加外电场与内电场方向相反,削弱内电场作用,使多数载流子受到阻挡而无法通过,从而起反向截止作用D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,反向串联在电路时,因叠加外电场与内电场方向一致,增强内电场作用,使多数载流子受到阻挡而无法通过,从而起反向截止作用

PN结正向导电时,外电场和内电场的方向()A、相同B、相反C、外电场加强了内电场

单选题PN结正向偏置时,其内电场被()A削弱B增强C不变D不确定

判断题pn结反向偏置时,外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的,加强了势垒区的电场。导致势垒降低,势垒区宽度变小。A对B错

填空题PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势Vbi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容CT就越(),雪崩击穿电压就越()。

填空题当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

填空题当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度();当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度()。

填空题势垒电容反映的是PN结的()电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越();外加反向电压越高,则势垒电容就越()。

填空题当对PN结外加正向电压时,由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散,一边()。每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的()。

填空题当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

填空题PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向(),有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。

单选题PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A多子扩散B少子扩散C少子漂移D多子漂移

填空题当PN结加正向电压时,()运动超过了内电场作用下的()运动,形成较大的正向电流。