在P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子。

在P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子。


相关考题:

N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对,错)。

P型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子() 此题为判断题(对,错)。

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

在P型半导体中()为少子.A、自由电子B、正离子C、空穴

关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A、无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

在本征半导体中,()是多子,由()形成。在P型半导体中,()是少子,由()形成。

P(N)型半导体的多子、少子

P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体

P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A、空穴;空穴B、空穴;自由电子C、自由电子;空穴D、自由电子;自由电子

在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成()A、P型半导体,其少子为自由电子B、N型半导体,其多子为自由电子C、P型半导体,其少子为空穴D、N型半导体,其多子为空穴

对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

在N型半导体中,多子是(),少子是();在P型半导体中,多子是(),少子是()

本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子,多子(空穴)的数量=()+少子(自由电子)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

在本征半导体中,()是同时出现的.A、多子和少子B、正离子和负离子C、自由电子和空穴

在N型半导体中()为多子.A、自由电子B、空穴C、正离子

半导体的空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体

P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

单选题关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴BP型半导体中只有空穴导电CN型半导体中只有自由电子参与导电D在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

单选题在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子,多子(空穴)的数量=()+少子(自由电子)的数量。A正离子数B负离子数C质子D原子

填空题在P型半导体中空穴是多子,()是少子。

单选题在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A空穴/自由电子B自由电子/空穴C空穴/共价键电子D负离子/正离子

单选题在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A正离子数B负离子数C质子D原子

问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?

单选题P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A空穴;空穴B空穴;自由电子C自由电子;空穴D自由电子;自由电子