填空题在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时，接近半导体表面处的（）被排斥，留下（）形成（）。
填空题
在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时，接近半导体表面处的（）被排斥，留下（）形成（）。
参考解析
解析：
暂无解析
相关考题：
CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。A、光刻技术B、转移电荷C、光电效应D、光电转化
通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A空穴是多数载流子B在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
单选题关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。A只存在一种载流子：自由电子B在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体D在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）