p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底

p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。

  • A、满带中
  • B、导带中
  • C、禁带中，但接近满带顶
  • D、禁带中，但接近导带底

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关于能带描述正确的是() A、满带指能带已经充满电子B、禁带是指电子不能存在的区域C、能带的电子充填情况等同于原子能级D、能带中能级的密度随能量增加而增加
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原子光谱是由哪种跃迁产生的A、原子在能级之间B、基态原子在能级之间C、电子在能级之间D、电子在基态原子的能级之间E、电子在激发态原子的能级之间
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在固体的能带理论中，能带中最高能级与最低能级的能量差值即带宽，取决于聚集的原子数目。（）
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能带是许多原子聚集体中，有许多原子轨道组成的近似连续的能级带。（）
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费米能级是，在T=0K时，金属原子中电子被填充的最高能级，以下能级全满，以上能级全空。（）
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N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中B.导带中C.禁带中，但接近满带顶D.禁带中，但接近导带底
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在发射光谱分析中，仪器所测得的谱线是原子（）过程中产生的。A、受激发后从高能级返回低能级B、从低能级跃迁至高能级C、分裂D、吸收能量
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n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
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一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。A、高于B、小于C、等于D、无法确定
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原子发射光谱中，主共振线是由（）与基态之间的能级跃迁所产生的。
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原子发射光谱中，主共振线是由（）之间的能级跃迁所产生的。
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下列有关电子云和原子轨道的说法正确的是（）A、原子核外的电子象云雾一样笼罩在原子核周围，故称电子云B、s能级的原子轨道呈球形，处在该轨道上的电子只能在球壳内运动C、p能级的原子轨道呈纺锤形，随着能层的增加，p能级原子轨道也在增多D、与s电子原子轨道相同，p电子原子轨道的平均半径随能层的增大而增大
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在任一多电子原子中，3p能级的能量总是比3s能级能量高。
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孤立原子相互靠近时，为什么会发生能级分裂和形成能带？禁带的形成规律是什么？何为材料的能带结构？
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填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
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填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
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单选题原子光谱是由哪种跃迁产生的（）A原子在能级之间B基态原子在能级之间C电子在能级之间D电子在基态原子的能级之间E电子在激发态原子的能级之间
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填空题原子发射光谱中，主共振线是由（）与基态之间的能级跃迁所产生的。
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问答题试叙述原子能级与能带之间的对应关系？
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单选题下列有关电子云和原子轨道的说法正确的是（）A原子核外的电子象云雾一样笼罩在原子核周围，故称电子云Bs能级的原子轨道呈球形，处在该轨道上的电子只能在球壳内运动Cp能级的原子轨道呈纺锤形，随着能层的增加，p能级原子轨道也在增多D与s电子原子轨道相同，p电子原子轨道的平均半径随能层的增大而增大
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问答题什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
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单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
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单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A电子为多子B空穴为少子C能带图中施主能级靠近于导带底D能带图中受主能级靠近于价带顶
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问答题以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
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问答题举例说明什么是受主杂质，什么是p型半导体？
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填空题原子发射光谱中，主共振线是由（）之间的能级跃迁所产生的。
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单选题当单个原子的核外电子处在某一层轨道上时（）A这个原子的能级就完全确定了B这个原子的能级形成连续的能带C这个原子的能级还受电子角动量、自旋的影响D原子核的自旋对能级没有影响
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