通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。
- A、空穴移向衬底深处
- B、空穴移向二氧化硅层
- C、电子移向二氧化硅层
- D、电子移向衬底层深处
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非晶硅太阳能电池的基本构造是下列的哪种?()A、梳状电极→减反膜→n型硅→p型硅→反电极B、梳状电极→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SSC、梳状电极→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→导电玻璃D、梳状电极→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS
单选题按照衬底材料不同,硅光电二极管分为2CU和2DU两种系列。它们主要有两个不同点:请选择正确的答案()A2CU是以N-Si为衬底,2DU是以P-Si为衬底;2CU型管还设了一个环极;B2CU是以P-Si为衬底,2DU是以N-Si为衬底,2CU型管还设了一个环极;C2CU是以N-Si为衬底,2DU是以P-Si为衬底,2DU型管还设了一个环极;D2CU是以P-Si为衬底,2DU是以N-Si为衬底,2DU型管还设了一个环极。
单选题通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。A空穴移向衬底深处B空穴移向二氧化硅层C电子移向二氧化硅层D电子移向衬底层深处
填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料()、()和化合物晶体材料()、();硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选();TTL集成电路衬底材料的晶向常选();常用的硅集成电路介电薄膜是()、();常用的IC互连线金属材料是()、()。
单选题构成CCD的基本元件是()AP型硅BPN结C发光二极管DMOS电容器