CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

CMOS反相器基本电路包括（）

  • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
  • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
  • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
  • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

相关考题：

在电路实现上,反相器是反运算的基本元件。() 此题为判断题(对，错)。
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从功耗看CMOS电路和晶体管电路相比()。 A.CMOS电路高得多B.CMOS电路低得多C.两者差不多D.不确定
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将矩形波变换成锯齿波的电路是()。 A、微分电路B、积分电路C、反相器D、晶振电路
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施密特电路是由两级()组成的。 A、直流放大器B、反相器交叉耦合C、反相器适当耦合D、与非门电路
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TTL电路和CMOS电路接口时,无论是用TTL电路驱动CMOS电路还是用CMOS电路驱动TTL电路,驱动门都必须为负载门提供合乎标准的高、低电平和足够的电流。() 此题为判断题(对，错)。
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试说明如下各种门电路中哪些输出端可以直接并联使用?(1)具有推拉输出(图腾柱)的TTL电路。(2)TTL电路OC门。(3)TTL电路三态门。(4)具有互补输出(非门)结构的CMOS电路。(5) CMOS电路OD门。(6) CMOS电路三态门。
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由CMOS集成施密特触发器组成的电路及该施密特触发器的电压传输特性曲线如图所示，该电路组成了一个（）。A.存储器 B.单稳态触发器 C.反相器 D.多谐振荡器
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对于TTL电路和CMOS电路的原理及比较，以下描述中不正确的是______。A.TTL电路是电压控制，CMOS电路是电流控制B.TTL电路速度快，但是功耗大，CMOS电路速度慢，传输延迟时间长C.CMOS电路具有锁定效应D.CMOS电路在使用时不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或下拉电阻
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反相器的输出，总是输入的（）。因此反相器就是一个（）电路，也称（）电路。
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TTL电路为（）。A、晶体管--晶体管逻辑电路B、反相器C、除法器
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反相器电路的输入与（）总是彼此相反。
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施密特电路是由两级（）组成的。A、直流放大器B、反相器交叉藕合C、反相器适当藕合D、与非门电路
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从功耗看CMOS电路和晶体管电路相比（）。A、CMOS电路高得多B、CMOS电路低得多C、两者差不多D、不确定
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单极性集成电路包括（）A、TTL集成电路B、PMOS集成电路C、NMOS集成电路D、CMOS集成电路
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下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
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数字电路中基本逻辑电路有（），分别是与门、或门和非门（反相器）。A、四种B、三种C、两种D、一种
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下列说法错误的是（）。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
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CMOS反相器最突出的一大优点是静态功耗极小。
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CMOS反相器（）。A、输入端为低电平时有电流流过B、输入端为高电平时有电流流过C、动态功耗基本为0D、静态功耗基本为0
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CMOS反相器工作时的全部功耗应等于（）A、动态功耗B、静态功耗C、动态功耗与噪声功耗之和D、动态功耗与静态功耗之和
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与CMOS电路相比，TTL电路的能耗较大
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与CMOS电路相比，TTL电路的能耗（）。
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问答题简述CMOS反相器功耗的组成？
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判断题CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。A对B错
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单选题数字电路中基本逻辑电路有（），分别是与门、或门和非门（反相器）。A四种B三种C两种D一种
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问答题CMOS反相器设计采用哪两种准则？
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填空题反相器电路的输入与（）总是彼此相反。
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