填空题金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度 低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度 高于（）时 可实现（）。
填空题
金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度 低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度 高于（）时 可实现（）。
参考解析
解析：
暂无解析
相关考题：
填空题肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。
单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A空穴是多数载流子B在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
单选题关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。A只存在一种载流子：自由电子B在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体D在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。