在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺,使两边分别形成P型和N型半导体,那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层,称为()。

在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺,使两边分别形成P型和N型半导体,那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层,称为()。


相关考题:

在纯净半导体中,掺入三价元素,就会形成()型半导体,如掺入五价元素,就会形成()型半导体。 A、P,NB、N,PC、P,PD、N,N

PN结是()形成的。 A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上,多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上,少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散

将一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起便形成了PN结。() 此题为判断题(对,错)。

怎样区分N型半导体和P型半导体()A、N型半导体掺入5价元素,P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素,P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同,但接头不同D、N型半导体的空穴过剩,P型半导体的空穴不

将P型半导体和N型半导体经过特殊工艺加工后,会有机地结合在一起,就在交界外形成了电荷的薄层,这个带电荷的薄层称为()。A、PN节B、N型节C、P型节D、V型节

将P型半导体和N型半导体经过特殊工艺加工后,会有机地结合在一起,就在交界处形成了有电荷的薄层,这个带电荷的薄层称为()。A、PN节B、N型节C、P型节

只要把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起,就构成一个PN结。

用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起,在它们交界面上形成的特殊()称做PN结。

半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。

N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

在N型半导体和P型半导体的交界面附件形成的具有特殊导电性能的薄层称为()。

什么叫掺杂半导体?什么叫N型半导体?什么叫P型半导体?

n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量(),p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量()在价带附近形成掺杂的能级。

N型半导体中的自由电子是()形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发

晶体管是在PN接合半导体上,再接合一块P型或N型半导体

当()后,就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体

在半导体中掺入微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。A、W型B、N型有P型C、U型

将一块N型半导体和一块P型半导体相互接触,在其接触面上会形成一个PN结。

N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

在半导体中掺人微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型

判断题P是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。A对B错

填空题N型半导体是在硅晶片上掺入少量的()而形成的,其多数载流子是()。

单选题关于P型半导体的下列说法,错误的是()。A空穴是多数载流子B在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极C在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体D在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成

问答题简述P型和N型半导体载流子的形成。

填空题在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺,使两边分别形成P型和N型半导体,那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层,称为()。

判断题PIN管是在P型和N型半导体之间夹着一层(相对)很厚的掺杂半导体。A对B错

填空题()和()是半导体器件的最常用掺杂方法。()、()是Si常用的施主杂质;()是Si常用的受主杂质;()是GaAs常用的P型掺杂剂;()是GaAs常用的N型掺杂剂。