填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压,反向偏置电压增大,则MOS器件的阈值电压也随之增大,这种效应称为()

填空题
衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压,反向偏置电压增大,则MOS器件的阈值电压也随之增大,这种效应称为()

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施密特触发器有两个阈值电压,分别称作()。 A.正向阈值电压B.反向阈值电压C.高电压D.低电压

阈值电压

混合液晶的阈值电压主要取决于液晶的介电各项异性Δε,Δε大,有利于降低液晶的阈值电压。()

比较器()电平发生跳变时的()电压称为阈值电压,过零电压比较器的阈值电压是()。只有一个阈值电压的比较器称为()比较器;而具有两个阈值电压的比较器称为()比较器。

取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个,并规化为标准电压等级后,定为该晶闸管的()。A、转折电压B、反向击穿电压C、阈值电压D、额定电压

施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。

IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。

利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失,可以将MOS管作为开关器件使用。

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