一般硅二极管死区电压为小于()V。A、0.7B、0.5C、0.3D、0.1

一般硅二极管死区电压为小于()V。

  • A、0.7
  • B、0.5
  • C、0.3
  • D、0.1

相关考题:

硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对,错)。

硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。() 此题为判断题(对,错)。

硅材料二极管的死区电压为()V。 A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7

一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 () 此题为判断题(对,错)。

当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通

三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。

一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对,错)。

小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V

硅半导体二极管的死区电压约为()。A、0.2VB、1.2VC、0.5VD、1.5V

硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。

二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

硅二极管的死区电压一般为0.2V。

锗二极管的死区电压为()V,导通电压为()V

晶体二极管具有正向特性,硅管的死区电压为()。A、0—0.2VB、0—0.5VC、0—0.4VD、0—0.3V

二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。

什么是二极管的死区电压?它是如何产生的?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?

硅管的死区电压为0.5V,锗管的死区电压为()。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。

硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。

硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为()A、0.6V;0.6VB、0.6V;0.1VC、0.1V;0.6VD、0.1V;0.1V

当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通

硅材料二极管的死区电压为0.3V。

硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?

问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?