晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷

晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。

  • A、除去光刻胶中剩余的溶剂
  • B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
  • C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
  • D、有利于以后的去胶工序
  • E、减少光刻胶的缺陷

相关考题:

在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?

通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区

刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。A、二氧化硅B、氮化硅C、光刻胶D、去离子水

光刻胶主要由()等不同材料混合而成的。A、树脂B、感光剂C、HMDSD、溶剂E、PMMA

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。A、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶B、涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶C、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶D、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度

例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是()。A、化学增强B、化学减弱C、厚度增加D、厚度减少

问答题二氧化硅,铝,硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀?

名词解释题光刻胶

问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

问答题简述光刻胶的成分特征。

问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

问答题什么是正光刻胶,负光刻胶?

判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A对B错

问答题简述光刻胶的概念及目的

判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错

问答题列出并描述两种主要的光刻胶。

判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A对B错

填空题光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有()、()、()、()。

判断题对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A对B错

问答题什么是负光刻胶?

名词解释题正光刻胶

问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀