填空题光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。

填空题
光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。

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相关考题:

CT扫描层厚对空间分辨率和密度分辨率的影响,正确的是A、层厚越薄,空间分辨率和密度分辨率越高B、层厚越厚,空间分辨率和密度分辨率越高C、层厚越薄,空间分辨率越高,密度分辨率越低D、层厚越薄,空间分辨率越低,密度分辨率越高E、以上说法均不对

一般说来,要求声音的质量越高,则(22)。A.分辨率越低和采样频率越低B.分辨率越高和采样频率越低C.分辨率越低和采样频率越高D.分辨率越高和采样频率越高

通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区

解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。A、负胶受显影液的影响比较小B、正胶受显影液的影响比较小C、正胶的曝光区将会膨胀变形D、使用负胶可以得到更高的分辨率E、负胶的曝光区将会膨胀变形

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度

制备琼脂糖凝胶时,检测的目的片段越小,越应该配制浓度越低的胶,以增强分辨率。()

关于空间分辨率的影响因素,下列叙述中正确的是( )A、频率越高,则纵向分辨率越差B、实际上,轴向分辨率约为波长的1/2C、横向分辨率仅与声束宽度有关D、声束越宽,侧向分辨率越差E、近场与远场的空间分辨率相同

以下对分辨率描述正确的是()A、分辨率越高,文件越大B、分辨率越高,文件越小C、分辨率越低,图像越精细

例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷

关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是()。A、正胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率高于负胶B、正胶的感光区域在显影时不溶解,负胶的感光区域在显影时溶解C、负胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率不会降低D、正胶的感光区域在显影时溶解,负胶的感光区域在显影时不溶解E、负胶在显影时会发生膨胀,导致了分辨率的降低

用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶

一般说来,要求声音的质量越高,则()。A、分辨率越低和采样频率越低B、分辨率越高和采样频率越低C、分辨率越低和采样频率越高D、分辨率越高和采样频率越高

问答题什么是负胶分辨率的限制,哪种胶应用在亚微米光刻胶中?

问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

问答题什么是正光刻胶,负光刻胶?

问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

问答题光刻工艺的主要流程有哪几步?什么是光刻工艺的分辨率?从物理角度看,限制分辨率的因素是什么?最常用的曝光光源是什么?

问答题光刻胶正胶和负胶的区别是什么?

问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A对B错

单选题关于空间分辨率的影响因素,下列叙述中正确的是( )A频率越高,则纵向分辨率越差B实际上,轴向分辨率约为波长的1/2C横向分辨率仅与声束宽度有关D声束越宽,侧向分辨率越差E近场与远场的空间分辨率相同

填空题光刻胶的三种主要成分是:()。正胶的感光剂是(),曝光使其(),正胶的曝光区在显影后(); 曝光使负胶的感光剂(),使曝光区在显影后()。

单选题一般说来,要求声音的质量越高,则()。A分辨率越低和采样频率越低B分辨率越高和采样频率越低C分辨率越低和采样频率越高D分辨率越高和采样频率越高

多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀