在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响,主要是通过(),使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B

在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响,主要是通过(),使得扩散系数增大。

  • A、增加缺陷浓度
  • B、使晶格发生畸变
  • C、降低缺陷浓度
  • D、A和B

相关考题:

残余电流产生的原因有____ A. 溶液中存在微量易在电极上还原的杂质B. 溶液中存在大量易在电极上还原的杂质C. 不存在电容电流(充电电流)D. 扩散电流的存在

杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂,但主要可分为()扩散和()扩散两种。

在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:()

在空位扩散中,如果迁移到空位的原子是基质原子,扩散属于()。A、推挤扩散B、杂质扩散C、填隙扩散D、自扩散

在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为()。A、填隙扩散B、杂质扩散C、推挤扩散D、自扩散

He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10-13cm2/s,这些元素称为()。A、活跃杂质B、快速扩散杂质C、有害杂质D、扩散杂质

扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型

扩散硅式压力变送器的工作主要是基于()。A、硅晶体的压阻效应B、硅晶体的扩散效应C、硅晶体的应变效应D、硅晶体的半导体特性

在晶体扩散模型中,()和()是最重要的两种扩散机制。

在相同的温度下,碳在α-Fe中的扩散比在γ-Fe中的扩散更容易,速度更快。这主要是因为:()A、碳原子在α-Fe中固溶造成的晶格畸变更大;B、其他合金元素的影响所致;C、温度对扩散系数的影响所致。

填空题在晶体扩散模型中,()和()是最重要的两种扩散机制。

单选题在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响,主要是通过(),使得扩散系数增大。A增加缺陷浓度B使晶格发生畸变C降低缺陷浓度DA和B

填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。

单选题在相同的温度下,碳在α-Fe中的扩散比在γ-Fe中的扩散更容易,速度更快。这主要是因为:()A碳原子在α-Fe中固溶造成的晶格畸变更大;B其他合金元素的影响所致;C温度对扩散系数的影响所致。

填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。

问答题影响扩散工艺中杂质分布的因素

单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火

判断题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。A对B错

填空题热扩散利用()驱动杂质穿过硅的晶体结构,这种方法受到()和()的影响。

判断题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。A对B错

问答题简述晶体结构对扩散的影响。

判断题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种:间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。A对B错

单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些()      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A②④B①③C①④D②③

填空题杂质原子在其它晶格中扩散时的推动力为(),同种原子在自己晶格中自扩散的推动力为()。

单选题通常情况下,当氧化物在杂质浓度较低时,其在高温条件下引起的扩散主要是()。A本征扩散B非本征扩散C互扩散DA+B

问答题杂质在硅中的扩散方式有哪些?

填空题离子在晶体中扩散是通过()的方式进行的。