在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
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单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火
单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（） ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数 ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度 ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A②④B①③C①④D②③
填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。
填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。