判断题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。A对B错

判断题
二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。
A

对

B

错

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扩散系数与温度有关，温度每增加()度，各种物质在溶液中的扩散系数平均增加 2.6%。A、1B、2C、3D、4
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扩散加权成像技术的叙述错误的是A、扩散成像，又称弥散成像B、是利用对扩散运动敏感的脉冲序列检测组织的水分子扩散运动状态，并用MR图像的方式显示出来C、在均匀介质中，任何方向的D（扩散系数）值都相等D、物质的扩散特性通常以扩散系数D来描述E、在扩散加权图像上，扩散系数越高，MR信号越高
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表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。A、分凝度B、固溶度C、分凝系数D、扩散系数
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当温度升高时，溶质在气相中的分子扩散系数（），在液相中的分子扩散系数（）。
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在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
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二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。A、预B、再C、选择
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二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。A、降低B、增加C、不变D、先降低后增加
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He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。A、活跃杂质B、快速扩散杂质C、有害杂质D、扩散杂质
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河流的稀释能力主要取决于河流的（）的能力。A、杂质的多少B、推流和扩散C、推流速度D、扩散系数
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膜的透过特性取决于细孔流及水、溶质在容胀膜表面中的扩散系数。通过细孔的溶液量与整个膜的透水量之比愈小，同时水在膜中的扩散系数与溶质在膜中的扩散系数之比愈大，则膜的（）。A、溶解性好B、扩散性好C、渗透性好D、选择性好
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如杂质的量增加，扩散系数与温度关系曲线中本征与非本征扩散的转折点（）。
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同一种物质在晶体中的扩散系数（）在玻璃中的扩散系数。A、大于B、等于C、小于D、不确定
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C在α-Fe中的扩散系数大还是在γ-Fe中的扩散系数大？渗碳是在α-Fe中进行还是在γ-Fe中进行？
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在存在着浓度梯度的扩散过程中，扩散系数称为（）
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在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B
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单选题在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A增加缺陷浓度B使晶格发生畸变C降低缺陷浓度DA和B
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填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
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填空题如杂质的量增加，扩散系数与温度关系曲线中本征与非本征扩散的转折点（）。
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单选题河流的稀释能力主要取决于河流的（）的能力。A杂质的多少B推流和扩散C推流速度D扩散系数
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单选题根据扩散系数与温度的依赖关系，扩散活化能Q值的关系是（）AQ值越大说明温度对扩散系数的影响越敏感BQ值越小说明温度对扩散系数的影响越敏感CQ值大小与温度对扩散系数的影响无关D其他
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单选题同一种物质在晶体中的扩散系数（）在玻璃中的扩散系数。A大于B等于C小于D不确定
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单选题膜的透过特性取决于细孔流及水、溶质在容胀膜表面中的扩散系数。通过细孔的溶液量与整个膜的透水量之比愈小，同时水在膜中的扩散系数与溶质在膜中的扩散系数之比愈大，则膜的（）。A溶解性好B扩散性好C渗透性好D选择性好
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填空题一般在相同的温度和压力下，组分在空气中的扩散系数（）在水中的扩散系数。
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