He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。A、活跃杂质B、快速扩散杂质C、有害杂质D、扩散杂质

He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

  • A、活跃杂质
  • B、快速扩散杂质
  • C、有害杂质
  • D、扩散杂质

相关考题：

钢中的杂质元素()属有害元素。 A、SBB、FeCC、SiDD、Mn
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在钢材组成的化学元素中,均为有害杂质的选项是()。A、S,PB、Si，SC、Mn,ND、Si，P
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。() 此题为判断题(对，错)。
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在自然界中分布较广泛,在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质称为 A、特殊杂质B、一般杂质C、基本杂质D、有害杂质E、有关物质
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杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
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在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
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二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。A、预B、再C、选择
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在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。A、推挤扩散B、杂质扩散C、填隙扩散D、自扩散
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在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。A、填隙扩散B、杂质扩散C、推挤扩散D、自扩散
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下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。A、硼B、锡C、锑D、磷E、砷
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钢材中主要的有害杂质元素有（）、（）、（）、（）、（）
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钢中磷和硫都是有害杂质元素。
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扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。A、内部的杂质分布B、表面的杂质分布C、整个晶体的杂质分布D、内部的导电类型E、表面的导电类型
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钢材中含有C、P、N、S、O、Cu、Si、Mn、V等元素,其中（）为有害的杂质元素。
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
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钢中常存杂质元素中，有益元素是（）；有害元素是（）
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单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火
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判断题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。A对B错
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判断题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。A对B错
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单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A②④B①③C①④D②③
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问答题杂质在硅中的扩散方式有哪些？
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问答题杂质在硅中有哪些扩散机制？
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填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。
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填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。
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填空题钢材中含有C、P、N、S、O、Cu、Si、Mn、V等元素,其中（）为有害的杂质元素。
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填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
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判断题扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。A对B错
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