判断题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种:间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。A对B错

判断题
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种:间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。
A

B


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农业创新的扩散方式:()。 A.传习式扩散方式B.接力式扩散方式C.波浪式扩散方式D.跳跃式扩散方式

Fick扩散定律,式中dc/dx代表的是A、浓度梯度B、扩散速率C、扩散半径D、扩散系数E、扩散浓度

固体中的扩散模型主要有填隙机制和()。A、自扩散机制B、杂质扩散机制C、空位机制D、菲克扩散方程机制

钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是()杂质。A、替位式B、间隙式C、施主D、可能是替位式也可能是间隙式

Fick’s扩散定律式中dc/dx代表()A、扩散速率B、扩散系数C、扩散半径D、浓度梯度E、扩散浓度

溢洪道挑流消能设施的平面型式可采用()。A、等宽式、放大式、收缩式B、等距式、扩散式、收缩式C、等宽式、扩散式、缩小式D、等距式、扩散式、收缩式

压阻式压力传感器是基于()的原理工作的。A、扩散硅受压电容变化B、扩散硅受压电荷变化C、扩散硅受压电阻值变化D、扩散硅受压电流变化

下面不属于按照企业内部技术创新行为模式划分的技术扩散模式()。A、顺序式技术扩散B、部分重叠式技术扩散C、并行模块技术扩散D、全部重叠式技术扩散

一般晶体中的扩散为()。A、空位扩散B、间隙扩散C、易位扩散D、A和B

农业创新的扩散方式中,“辐射式”或“以点带面”指的是()A、传习式扩散方式B、接力式扩散方式C、波浪式扩散方式跳跃式扩散方式

燃烧方式分为()A、扩散式燃烧、有烟式燃烧、混合燃烧B、扩散式燃烧、无焰式燃烧、混合燃烧C、扩散式燃烧、无焰式燃烧、大气式燃烧

扩散硅式压力变送器的工作主要是基于()。A、硅晶体的压阻效应B、硅晶体的扩散效应C、硅晶体的应变效应D、硅晶体的半导体特性

在晶体扩散模型中,()和()是最重要的两种扩散机制。

由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同,在易位扩散、间隙扩散和空位扩散三种机制中,其扩散活化能的大小为()。A、易位扩散=间隙扩散空位扩散B、易位扩散间隙扩散=空位扩散C、易位扩散间隙扩散空位扩散D、易位扩散间隙扩散空位扩散

单选题农业创新的扩散方式中,“辐射式”或“以点带面”指的是()A传习式扩散方式B接力式扩散方式C波浪式扩散方式跳跃式扩散方式

填空题杂质原子(或离子)在半导体晶片中的扩散机构比较复杂,但主要可分为两种机构:替位式扩散和()式扩散。

填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。

判断题替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。A对B错

单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火

名词解释题间隙式扩散

单选题溢洪道挑流消能设施的平面型式可采用(  )。A等宽式、放大式、收缩式B等距式、扩散式、收缩式C等宽式、扩散式、收缩式D等距式、扩散式、放大式

单选题一般晶体中的扩散为()。A空位扩散B间隙扩散C易位扩散DA和B

单选题溢洪道挑流消能设施的平面型式可采用()。A等宽式、放大式、收缩式B等距式、扩散式、收缩式C等宽式、扩散式、缩小式D等距式、扩散式、收缩式

名词解释题替位式扩散

单选题由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同,在易位扩散、间隙扩散和空位扩散三种机制中,其扩散活化能的大小为()。A易位扩散=间隙扩散空位扩散B易位扩散间隙扩散=空位扩散C易位扩散间隙扩散空位扩散D易位扩散间隙扩散空位扩散

单选题燃烧方式分为()A扩散式燃烧、有烟式燃烧、混合燃烧B扩散式燃烧、无焰式燃烧、混合燃烧C扩散式燃烧、无焰式燃烧、大气式燃烧

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