扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。A、硅晶体的压阻效应B、硅晶体的扩散效应C、硅晶体的应变效应D、硅晶体的半导体特性
扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。
- A、硅晶体的压阻效应
- B、硅晶体的扩散效应
- C、硅晶体的应变效应
- D、硅晶体的半导体特性
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关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（）A、在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。B、非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。C、多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。D、与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应（S-W效应），但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥C、集力敏与力电转换检测于一体D、根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火
单选题关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。A扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥C集力敏与力电转换检测于一体D根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
单选题扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。A硅晶体的压阻效应B硅晶体的扩散效应C硅晶体的应变效应D硅晶体的半导体特性