判断题对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A对B错
判断题
对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
A
对
B
错
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解析：
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刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。A、二氧化硅B、氮化硅C、光刻胶D、去离子水
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
LIGA技术的第一步骤是（）。A、通过电铸从光刻胶三维结构上产生金属母模B、用光刻的方法在光刻胶上刻出微机械或微器件的三维结构C、用生产用模作大规模复制D、用母模通过电铸或塑铸方法复制许多金属的或其它材料的生产用模
问答题描述投影掩膜版和光掩膜版的区别？