问答题光刻胶正胶和负胶的区别是什么?

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光刻胶正胶和负胶的区别是什么?

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解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。A、负胶受显影液的影响比较小B、正胶受显影液的影响比较小C、正胶的曝光区将会膨胀变形D、使用负胶可以得到更高的分辨率E、负胶的曝光区将会膨胀变形

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度

感光胶分为正性胶和负性胶,简述它们是如何定义。

例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是()。A、负胶的感光区域溶解B、正胶的感光区域溶解C、负胶的感光区域不溶解D、正胶的感光区域不溶解E、负胶的非感光区域溶解

晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷

关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是()。A、正胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率高于负胶B、正胶的感光区域在显影时不溶解,负胶的感光区域在显影时溶解C、负胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率不会降低D、正胶的感光区域在显影时溶解,负胶的感光区域在显影时不溶解E、负胶在显影时会发生膨胀,导致了分辨率的降低

用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶

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判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A对B错

判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错

填空题光刻胶的三种主要成分是:()。正胶的感光剂是(),曝光使其(),正胶的曝光区在显影后(); 曝光使负胶的感光剂(),使曝光区在显影后()。

填空题光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。

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