名词解释题ULSI对光刻的要求

名词解释题
ULSI对光刻的要求

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相关考题：

什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？
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解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
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解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
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解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
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光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
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述5次光刻中第5次像素电极光刻形成的ITO的作用。
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晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
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问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。
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问答题什么是正光刻胶，负光刻胶？
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问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
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判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A对B错
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问答题什么叫做光刻，光刻有何目的？
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问答题什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？
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判断题集成电路制造需要在告别净化环境下进行，而光刻区对净化级别要求最高，如普通制造环境为1000级，则光刻区的净化环境则为10000级。A对B错
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问答题SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI的中文含义是什么？英文全拼是什么？
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问答题简述ULSI对刻蚀的要求。
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判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A对B错
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问答题对光刻的基本要求有哪些？
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判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
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问答题何为分辨率、对比度、IC制造对光刻技术有何要求？
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问答题解释光刻胶选择比，要求的比例是高还是低？
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问答题简述正性光刻和负性光刻的概念？优缺点？
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问答题什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些？
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问答题什么是负性光刻？正性光刻？
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问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。
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判断题对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A对B错
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